近日，意法半导体与英诺赛科宣布了一项重要合作，双方已于3月31日正式签署氮化镓（GaN）技术开发与制造协议。此次携手旨在通过整合各自优势，增强氮化镓功率解决方案的市场竞争力，并提升供应链的灵活性和韧性。

根据协议条款，双方将共同推进氮化镓功率技术的联合研发项目，预期在未来几年内，推动该技术在消费电子、数据中心、汽车工业及工业电源系统等多个领域的广泛应用，展现出广阔的市场前景。

合作还涉及产能互补。英诺赛科将能够利用意法半导体在海外的前端制造能力生产氮化镓晶圆，而意法半导体也将借助英诺赛科在中国的制造基地，扩大其氮化镓晶圆的产能。这种灵活的供应链布局，有助于双方拓展氮化镓产品组合，提高市场供应能力。

双方共同的目标是通过这一合作，提升供应链的韧性，以更好地满足不同应用场景下的客户需求。意法半导体APMS总裁Marco Cassis表示，作为IDM（垂直整合器件制造商），此次合作将充分发挥IDM模式的优势，为全球客户创造更多价值。

Cassis进一步指出，意法半导体将加速氮化镓功率技术的部署，进一步完善现有的硅和碳化硅产品组合，并通过灵活的制造模式，为全球客户提供更优质的服务。同时，英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇也表示，氮化镓技术在实现小型化、高效率、低功耗、低成本及低碳排放的电子系统中发挥着关键作用。

骆薇薇强调，英诺赛科在8英寸（200mm）硅基氮化镓晶圆量产方面处于领先地位，已累计出货超过10亿颗氮化镓器件，覆盖多个市场领域。她对与意法半导体的战略合作表示高度振奋，认为这将进一步扩大氮化镓技术的普及范围，并加速下一代氮化镓技术的开发。